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積塔半導體牽手安建半導體,共推溝槽型SiC器件開發

發布日期:2024,01,31 作者:admin 來源:互聯網 已瀏覽:2544
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  張汝京等一行參觀了安建半導體模塊產線,了解了安建的模塊產品類型、下游客戶和出貨產能情況。雙方就安建半導體在積塔的產品需求和后續產品開發項目進行了探討和總結,并對以下合作達成一致:加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅(SiC)MOS器件開發,并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOS器件開發;馬上啟動基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產品開發。

  在SiC器件方面,積塔半導體早在2020年就布局了業內領先的6英寸SiC產線,目前已覆蓋JBS和MOSFET等,建成了自主知識產權的車規級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。

  2022年,積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目,新增固定資產投資預計超過260億元。二期項目建成后,積塔半導體的產能將得到較大提升,實現功率器件、模擬IC、MCU產品等汽車芯片量產,預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產能。

  此次與積塔半導體就SiC器件開發達成合作的安建半導體,在業內也有一定的實力。成立于2021年7月的安建半導體,是一家半導體功率器件廠商。成立不到三年時間,安建半導體已完成3輪融資,其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。